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为了能够进一步提高Sn的空位率以实现载流子浓度的进一步优化，链辽链成链新该团队首次实现了Cd掺杂的SnSe微米级单晶片，链辽链成链新如图6所示，使热电优值得到了进一步的提高。入国（b）制备工艺温度参数。

家级以及(e)与单晶样品在中低温条件下的热电优值对比。同时，区块该团队发现随着铜掺杂浓度的提升，硒化锡单晶的择优生长会发生变化，由板条状逐渐向带状过渡，进而降低了烧结块体材料的各向异性。型基（d）烧结块体切片的TEM照片。

铜的掺杂导致晶格收缩，础设并能够在晶格中引入纳米级应力区，造成局部晶格畸变。国网功接这种材料所展现出来的优异的热电性能得益于其较低的热导率（0.24Wm-1 K-1）。

链辽链成链新图6 Cd掺杂的SnSe（a）计算得到的载流子浓度与功率因子及热导率的关系。

邹进教授在ISI9（WebofScience）刊物上已发表学术论文650多篇，入国其多数论文发表在国际知名刊物上并被引用18,000次。家级F,G)沿D图和E图中X-Y线的相应强度分布。

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础设B)SnK边EXAFS光谱的傅立叶变换(FT)。然而，国网功接对于上述金属结构，存在的丰富微观结构(包括界面，晶界和表面粗糙度)导致无法确定其活性位点是否为带正电荷的金属物质。